第一節(jié) 上游 行業(yè) 發(fā)展?fàn)顩r 分析
1、2010年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模7349.5億元,市場(chǎng)增長(zhǎng)29.5%
2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模2983.2億美元,市場(chǎng)增速達(dá)31.8%,是繼2000年以來(lái)市場(chǎng)增速最快的一年,在經(jīng)歷的2009年的下滑之后,市場(chǎng)大幅反彈,結(jié)束了連續(xù)多年來(lái)的低迷發(fā)展態(tài)勢(shì)。
中國(guó)集成電路市場(chǎng)方面,市場(chǎng)也同樣結(jié)束了連續(xù)多年來(lái)增速連續(xù)下降的趨勢(shì),2010年市場(chǎng)增速達(dá)29.5%,實(shí)現(xiàn)銷售額7349.5億元。是繼2005年之后市場(chǎng)增速最快的一年。市場(chǎng)的反彈得益于全球經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇,市場(chǎng)對(duì)下游整機(jī)電子產(chǎn)品的需求旺盛,從而帶動(dòng)對(duì)上游集成電路產(chǎn)品的需求。此外,由于2010年下游市場(chǎng)對(duì)芯片需求強(qiáng)勁,因此整體上使得芯片價(jià)格相對(duì)往年較為堅(jiān)挺,在某些產(chǎn)品領(lǐng)域甚至出現(xiàn)芯片價(jià)格上漲的現(xiàn)象,芯片價(jià)格因素也是影響 市場(chǎng)發(fā)展 的因素之一。整體來(lái)看,2010年之所以能實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)的大幅反彈,關(guān)鍵的因素還是因?yàn)?009年市場(chǎng)受全球金融危機(jī)影響造成衰退,從而導(dǎo)致市場(chǎng)基數(shù)較低,因此2010年全球市場(chǎng)和中國(guó)市場(chǎng)雙雙實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。
2006-2010年中國(guó)集成電路市場(chǎng)銷售額規(guī)模及增長(zhǎng)率
市場(chǎng)進(jìn)出口方面,根據(jù)海關(guān)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2010年,中國(guó)集成電路進(jìn)口額達(dá)1569.9億美元,同比增速31.0%,出口方面,中國(guó)集成電路2010年出口額為292.5億美元,同比增速25.5%??梢钥闯?,中國(guó)集成電路產(chǎn)品進(jìn)出口差額較大,中國(guó)所需的集成電路多數(shù)仍然需要進(jìn)口,中國(guó)集成電路市場(chǎng)的發(fā)展速度也基本與進(jìn)口規(guī)模的增速保持一致。
2、存儲(chǔ)器增長(zhǎng)快速,是中國(guó)集成電路市場(chǎng)份額最大的產(chǎn)品
在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面,受益于市場(chǎng)整體保持快速增長(zhǎng),幾乎每種集成電路產(chǎn)品都保持了較快的增速,其中存儲(chǔ)器受到來(lái)自各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的帶動(dòng),增速最快,增速超過(guò)40%,市場(chǎng)份額達(dá)23.9%,依然是中國(guó)集成電路市場(chǎng)份額最大的產(chǎn)品。CPU和計(jì)算機(jī)外圍器件則受到筆記本產(chǎn)量增速相對(duì)稍緩的影響,市場(chǎng)份額有所下滑。
2010年中國(guó)集成電路市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
3、3C領(lǐng)域仍是主要應(yīng)用市場(chǎng)
從市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)來(lái)看,2010年,汽車電子領(lǐng)域依然是中國(guó)集成電路 市場(chǎng)發(fā)展 最快的領(lǐng)域,全年市場(chǎng)增速達(dá)36.8%,其市場(chǎng)份額稍有上升,但由于其市場(chǎng)基數(shù)本身較小,因此對(duì)整體集成電路市場(chǎng)的帶動(dòng)作用有限。計(jì)算機(jī)領(lǐng)域依然是中國(guó)集成電路市場(chǎng)最大的應(yīng)用領(lǐng)域,2010年市場(chǎng)份額為45%,由于2010年中國(guó)筆記本電腦相對(duì)于其他主要的電子整機(jī)產(chǎn)品產(chǎn)量增速稍緩,因此計(jì)算機(jī)領(lǐng)域集成電路市場(chǎng)的份額較2009年也稍有下滑。網(wǎng)絡(luò)通信和消費(fèi)電子領(lǐng)域則分別受到手機(jī)以及家電產(chǎn)品產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)的帶動(dòng),其市場(chǎng)增速都保持在30%以上。整體來(lái)看,PC和手機(jī)仍然主宰集成電路市場(chǎng)的發(fā)展,二者所消耗的集成電路產(chǎn)品超過(guò)集成電路整體市場(chǎng)的一半,然而隨著其它各類產(chǎn)品應(yīng)用的增加,這兩類下游產(chǎn)品所占的市場(chǎng)份額將緩慢縮小,但未來(lái)幾年,這兩類產(chǎn)品仍然將是集成電路消耗市場(chǎng)的主導(dǎo)產(chǎn)品。
2010年中國(guó)集成電路市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
4、整體競(jìng)爭(zhēng)格局基本不變,聯(lián)發(fā)科技發(fā)展放緩
競(jìng)爭(zhēng)格局方面,2010年中國(guó)集成電路市場(chǎng)基本保持了之前的態(tài)勢(shì),歐美日韓廠商依然占據(jù)了明顯優(yōu)勢(shì),英特爾第一的地位暫時(shí)還沒(méi)有廠商能夠撼動(dòng),但是三星與英特爾的差距基本上市逐年減小。其它企業(yè)方面,Micron和瑞薩則由于收購(gòu)或合并,銷售額大幅增加,排名有所上升,TI、英飛凌等企業(yè)也表現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)力,值得注意的是,前兩年一直保持高速發(fā)展的中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)聯(lián)發(fā)科技在2010年由于受到市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的影響,其發(fā)展勢(shì)頭有所減緩,排名下滑。
5、未來(lái)幾年市場(chǎng)將保持平穩(wěn)發(fā)展態(tài)勢(shì)
展望2011年,在經(jīng)歷了2010年的高速增長(zhǎng)之后,無(wú)論是全球市場(chǎng)還是中國(guó)市場(chǎng),市場(chǎng)將會(huì)進(jìn)入平穩(wěn)發(fā)展的階段,預(yù)計(jì)市場(chǎng)增速將在10%左右, 市場(chǎng)發(fā)展 的主要驅(qū)動(dòng)力仍然主要來(lái)自PC、手機(jī)、液晶電視已經(jīng)其它產(chǎn)量較大的電子產(chǎn)品。此外,未來(lái)新興應(yīng)用成為市場(chǎng)增長(zhǎng)的推動(dòng)因素之一,xPad等新興電子產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展也在一定程度上推動(dòng)了半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展,隨著醫(yī)療電子、安防電子以及各個(gè) 行業(yè) 的信息化建設(shè)的持續(xù)深入,應(yīng)用于這些 行業(yè) 的集成電路產(chǎn)品所占的市場(chǎng)比重將會(huì)越來(lái)越多。
未來(lái)3年,汽車電子的增速將會(huì)明顯放緩,但依然將明顯高于整體集成電路市場(chǎng)的增長(zhǎng),PC領(lǐng)域的增速也將會(huì)有所放緩,這將直接影響到存儲(chǔ)器市場(chǎng)和CPU市場(chǎng)的發(fā)展,值得注意的MCU產(chǎn)品,未來(lái)隨著社??òl(fā)卡量的增加,用于IC卡領(lǐng)域的MCU將會(huì)受到帶動(dòng),而且隨著MCU應(yīng)用范圍的拓寬,中國(guó)MCU的增速將明顯快于整體集成電路市場(chǎng)。
2011-2013年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)
未來(lái)幾年,產(chǎn)品方面,存儲(chǔ)器仍將是中國(guó)集成電路市場(chǎng)上份額最大的產(chǎn)品,其市場(chǎng)份額將會(huì)保持在20%以上,CPU、ASSP和模擬器件的市場(chǎng)份額也相對(duì)近較高,將保持在15%以上。應(yīng)用領(lǐng)域方面,3C(計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信和消費(fèi)電子)領(lǐng)域仍然是中國(guó)集成電路產(chǎn)品主要的應(yīng)用領(lǐng)域,三者的市場(chǎng)份額將一直保持在整體市場(chǎng)的85%以上。
第二節(jié) 下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 分析
1、市場(chǎng)需求拉動(dòng)產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)
自2003 年以來(lái),全球生物醫(yī)藥市場(chǎng)增速在10%以上,而中國(guó)的年均增長(zhǎng)率更是達(dá)到25% 以上,處于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的開始階段。國(guó)民經(jīng)濟(jì)較快增長(zhǎng)、龐大人口基數(shù)及老齡化趨勢(shì)、人民生活水平的提高、健康意識(shí)的增強(qiáng)等需求合力,拉動(dòng)中國(guó)生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。以華蘭生物為代表的一批生物醫(yī)藥企業(yè),2010 年表現(xiàn)十分突出,營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)獲得跨越式增長(zhǎng)。賽迪顧問(wèn)初步估計(jì),中國(guó)生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)2010 年產(chǎn)值規(guī)模已達(dá)到1100 億元,同比增長(zhǎng)18% 以上,遠(yuǎn)高于化學(xué)藥和中成藥。
2、政策利好釋放產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿?/p>
政策一直是生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推手。國(guó)務(wù)院于2009 年6 月頒布《促進(jìn)生物產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展的若干政策》,于2 0 1 0 年1 0 月頒布《關(guān)于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》,都將生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)列為重點(diǎn)扶持的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。中國(guó)生物醫(yī)藥潛在市場(chǎng)龐大、生物遺傳資源豐富、生物醫(yī)藥人才和技術(shù)儲(chǔ)備已經(jīng)具備一定基礎(chǔ),在多重利好政策的作用下,中央和地方兩級(jí)財(cái)政近兩年在生物醫(yī)藥的研發(fā)投入總額超過(guò)300 億元。伴隨著一類疫苗的普及和新醫(yī)改的推進(jìn),2010年政策因素對(duì)中國(guó)生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)發(fā)展形成了諸多利好影響。
3、創(chuàng)新投入不足制約產(chǎn)業(yè)騰飛
盡管近年來(lái)生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度快于化學(xué)藥和中成藥,但其在中國(guó)醫(yī)藥制造業(yè)中的比例仍偏低。2010 年,中國(guó)生物醫(yī)藥產(chǎn)值和研發(fā)經(jīng)費(fèi)占中國(guó)醫(yī)藥制造業(yè)的比重分別只有11.5% 和11%。除此之外,無(wú)論企業(yè)數(shù)量、投資額、專利申請(qǐng)數(shù)量等指標(biāo),生物醫(yī)藥都處于三大醫(yī)藥子 行業(yè) 最低。生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)側(cè)重于技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力,創(chuàng)新投入的不足和投融資體系不健全,嚴(yán)重制約了中國(guó)生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。
第三節(jié) 產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
目前國(guó)內(nèi)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備大多是為了滿足國(guó)標(biāo)GB2423《電工電子產(chǎn)品基本試驗(yàn)規(guī)程》而生產(chǎn)的,這些環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備現(xiàn)都有相應(yīng)的產(chǎn)品國(guó)標(biāo),如GB10586-89《濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件》GB10589-89《低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》GB10591-89《高/低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》GB10591-89《高/低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》等。
從前我國(guó)使用的大多數(shù)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備都是從西方國(guó)家引進(jìn)的,價(jià)格比較昂貴,而如今,隨著電子技術(shù)的發(fā)展,特別是控制技術(shù)的發(fā)展,從模擬控制到現(xiàn)在的數(shù)字控制;顯示方式從指針到數(shù)字再到現(xiàn)在的觸摸屏顯示;控制精度從±1℃提高到0.1℃甚至于0.01℃之內(nèi);設(shè)備體積從很小的箱體,到幾百立方大的房(室),我國(guó)的環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備生產(chǎn)廠家已經(jīng)能生產(chǎn)符合試驗(yàn)要求的設(shè)備。性能可以與進(jìn)口設(shè)備相媲美,而價(jià)格只有進(jìn)口設(shè)備一半左右。但某些特殊設(shè)備,如溫度沖擊設(shè)備、溫度快速變化(15℃/min)還不能國(guó)產(chǎn)化或生產(chǎn)的設(shè)備不能符合要求。
在我國(guó)的產(chǎn)品技術(shù)條件—低溫試驗(yàn)箱、高低溫試驗(yàn)箱、濕熱試驗(yàn)箱等產(chǎn)品技術(shù)條件中都規(guī)定有溫度波動(dòng)度、溫度均勻度和溫度誤差三個(gè)指標(biāo)。溫度波動(dòng)度為箱內(nèi)任一點(diǎn)溫度的時(shí)間誤差,溫度誤差為箱內(nèi)各點(diǎn)溫度與標(biāo)稱溫度的誤差值,即為空間誤差。各國(guó)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)溫度波動(dòng)度與溫度誤差意義上的理解和測(cè)試方法基本相同,但我國(guó)技術(shù)條件中對(duì)溫度均勻度的測(cè)試和數(shù)據(jù)處理與國(guó)外有所區(qū)別,我國(guó)規(guī)定利用30分鐘內(nèi)測(cè)得每個(gè)測(cè)試點(diǎn)15次數(shù)據(jù),分別求出每次數(shù)據(jù)中最高與最低溫度之差,然后算出15次差值的平均值即為均勻度,顯然由于未與標(biāo)稱溫度或中心點(diǎn)溫度進(jìn)行比較,因此溫度均勻度指標(biāo)沒(méi)有正負(fù)號(hào)。
第四節(jié) 產(chǎn)品工藝特點(diǎn)或流程
一、產(chǎn)品工藝流程
環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)品典型的生產(chǎn)組織方式和工藝流程:
材料外購(gòu)→鈑金下料制作(數(shù)控,剪板機(jī),數(shù)控折彎?rùn)C(jī))→箱體組立(點(diǎn)焊,手工弧焊,保護(hù)焊)→噴塑前處理(脫脂、中和、磷化)→噴塑、烘干(噴塑設(shè)備)→箱體內(nèi)外室裝配→箱體保溫(聚胺脂或玻璃棉,發(fā)泡機(jī)或手工)→機(jī)組及制冷系統(tǒng)裝配(手工制作,電,氣焊接)→電器裝配(手工)→制冷劑充注→整機(jī)調(diào)試→檢驗(yàn)驗(yàn)收→包裝入庫(kù)。
二、產(chǎn)品工藝特點(diǎn)
1、環(huán)境條件的再現(xiàn)性
在試驗(yàn)室內(nèi)完整而精確地再現(xiàn)自然界存在的環(huán)境條件是可望而不可及的事情。但是,在一定的容差范圍之內(nèi),人們完全可以正確而近似地模擬工程產(chǎn)品在使用、貯存、運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程中所經(jīng)受的外界環(huán)境條件。這段話用工程的語(yǔ)言概括,就是“試驗(yàn)設(shè)備所創(chuàng)造的圍繞被試產(chǎn)品周邊的環(huán)境條件(含平臺(tái)環(huán)境)應(yīng)該滿足產(chǎn)品試驗(yàn)規(guī)范所規(guī)定的環(huán)境條件及其容差的要求”。如用于軍工產(chǎn)品試驗(yàn)的溫度箱不僅要滿足國(guó)軍標(biāo)GJB150.3-86、GJB150.4-86中根據(jù)不同的均勻性和溫度控制精度的要求。只有這樣,才能保證在環(huán)境試驗(yàn)中環(huán)境條件的再現(xiàn)性。
2、環(huán)境條件的可重復(fù)性
一臺(tái)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備可能用于同一類型產(chǎn)品的多次試驗(yàn),而一臺(tái)被試的工程產(chǎn)品也可能在不同的環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備中進(jìn)行試驗(yàn),為了保證同一臺(tái)產(chǎn)品在同一試驗(yàn)規(guī)范所規(guī)定的環(huán)境試驗(yàn)條件下所得試驗(yàn)結(jié)果的可比較性,必然要求環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備所提供的環(huán)境條件具有可重復(fù)性。這也就是說(shuō),環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備施用于被試驗(yàn)產(chǎn)品的應(yīng)力水平(如熱應(yīng)力、振動(dòng)應(yīng)力、電應(yīng)力等)對(duì)于同一試驗(yàn)規(guī)范的要求是一致的。
環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備所提供環(huán)境條件的可重復(fù)性是由國(guó)家計(jì)量檢定部門依據(jù)國(guó)家技術(shù)監(jiān)督機(jī)構(gòu)所制定的檢定規(guī)程檢定合格后提供保證。為此,必須要求環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備能滿足檢定規(guī)程中的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)及精度指標(biāo)的要求,并且在使用時(shí)間上不超過(guò)檢定周期所規(guī)定的時(shí)限。如使用非常普遍的電動(dòng)振動(dòng)臺(tái)除滿足激振力、頻率范圍、負(fù)載能力等技術(shù)指標(biāo)外,還必須滿足檢定規(guī)程中規(guī)定的橫向振動(dòng)比、臺(tái)面加速度均勻性、諧波失真度等精度指標(biāo)的要求,而且每次檢定后的使用周期為二年,超過(guò)二年必須重新檢定合格后才能投入使用。
3、環(huán)境條件參數(shù)的可測(cè)控性
任何一臺(tái)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備所提供的環(huán)境條件必須是可觀測(cè)的和可控制的,這不僅是為了使環(huán)境參數(shù)限制在一定的容差范圍之內(nèi),保證試驗(yàn)條件的再現(xiàn)性和重復(fù)性的要求,而且從產(chǎn)品試驗(yàn)的安全出發(fā)也是必須的,以便防止環(huán)境條件失控導(dǎo)致被試產(chǎn)品的損壞,帶來(lái)不必要的損失。目前各種試驗(yàn)規(guī)范中大體要求參數(shù)測(cè)試的精度不應(yīng)低于試驗(yàn)條件允許的誤差的三分之一。
4、環(huán)境試驗(yàn)條件的排它性
每一次進(jìn)行環(huán)境或可靠性試驗(yàn),對(duì)環(huán)境因素的類別、量值及容差都有嚴(yán)格的規(guī)定,并排除非試驗(yàn)所需的環(huán)境因素滲透其中,以便在試驗(yàn)中或試驗(yàn)結(jié)束后判斷和 分析 產(chǎn)品失效與故障模式時(shí),提供確切的依據(jù),故要求環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備除提供所規(guī)定的環(huán)境條件外,不允許對(duì)被試產(chǎn)品附加其它的環(huán)境應(yīng)力干擾。如電動(dòng)振動(dòng)臺(tái)檢定規(guī)程中所限定的臺(tái)面漏磁,加速度信噪比、帶內(nèi)帶外加速度總均方根值比。隨機(jī)信號(hào)的檢驗(yàn)、諧波失真度等精度指標(biāo)都是為了保證環(huán)境試驗(yàn)條件的唯一性而制定的檢定項(xiàng)目。
5、試驗(yàn)設(shè)備的安全可靠性
環(huán)境試驗(yàn),特別是可靠性試驗(yàn),試驗(yàn)周期長(zhǎng),試驗(yàn)的對(duì)象有時(shí)是價(jià)值很高的軍工產(chǎn)品,試驗(yàn)過(guò)程中,試驗(yàn)人員經(jīng)常要在現(xiàn)場(chǎng)周圍操作巡視或測(cè)試工作,因此要求環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備必須具有運(yùn)行安全、操作方便、使用可靠、工作壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),以確保試驗(yàn)本身的正常進(jìn)行。試驗(yàn)設(shè)備的各種保護(hù)、告警措施及安全連鎖裝置應(yīng)該完善可靠,以保證試驗(yàn)人員、被試產(chǎn)品和試驗(yàn)設(shè)備本身的安全可靠性。
第五節(jié) 國(guó)內(nèi)外技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 分析
1、計(jì)算機(jī)技術(shù)應(yīng)用
目前,氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)品除了加入計(jì)算機(jī)技術(shù),還大量引進(jìn)日新月異的高新技術(shù),如納米、MEMS、芯片、網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)化、免疫學(xué)、仿生學(xué)、基因工程等等新技術(shù),同時(shí),一些高精尖的軍用技術(shù)向民用技術(shù)轉(zhuǎn)移,大大提高了科學(xué)儀器的技術(shù)水平和更新?lián)Q代速度。
總體上呈現(xiàn)出如下趨勢(shì):一是向多功能、自動(dòng)化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化方向發(fā)展;二是,向原位、在體、實(shí)時(shí)、在線、高靈敏度、高通量、高選擇性方向發(fā)展;三是向聯(lián)用技術(shù)方向發(fā)展;四是用于環(huán)境、能源、農(nóng)業(yè)、食品、臨床檢驗(yàn)等國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域的科學(xué)儀器向?qū)S谩⑿⌒突较虬l(fā)展;五是向?qū)S谩⒖焖?、自?dòng)化方向發(fā)展;六是向在線、原位 分析 方向發(fā)展。
2、真空技術(shù)應(yīng)用于特大型人工氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備
我國(guó)正在研制的一臺(tái)特大型人工氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備中應(yīng)用的真空技術(shù)。該設(shè)備的真空容器是容積為12000m3的立式罐體,在罐體內(nèi)通過(guò)人工模擬最高海拔高度5500m的不同海拔地區(qū)的氣候條件來(lái)進(jìn)行特高壓直流試驗(yàn)。通過(guò)對(duì)真空技術(shù)的 研究 和實(shí)施,將為罐體內(nèi)模擬不同高海拔環(huán)境氣候時(shí)提供低氣壓條件,要求15min內(nèi)氣壓模擬0.1MPa~0.05MPa范圍內(nèi)的任意一點(diǎn),真空度控制精度1.5%以內(nèi)。真空系統(tǒng)采用了適合抽取氣體量大、水蒸氣含量高、氣體溫度范圍廣、抽氣過(guò)程真空度一直很低等惡劣條件的大型水環(huán)真空泵抽氣技術(shù),該技術(shù)的運(yùn)用對(duì)罐體內(nèi)部不產(chǎn)生油污染,將獲得清潔無(wú)油的低真空環(huán)境。
該設(shè)備采用的真空技術(shù)如何能夠在規(guī)定時(shí)間內(nèi)提供需要的穩(wěn)定的真空度,并且在罐內(nèi)溫濕度等條件變化時(shí)一直維持試驗(yàn)氣壓至試驗(yàn)結(jié)束,是順利完成試驗(yàn)任務(wù)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。應(yīng)用的真空技術(shù)主要包括真空抽氣技術(shù)、真空度控制技術(shù)、真空測(cè)量技術(shù)、罐體安全復(fù)壓技術(shù)。
a、真空抽氣技術(shù)
采用了三臺(tái)2BE3500型對(duì)飽和氣體抽速為180m3/min的水環(huán)真空泵和一臺(tái)2BE3400型對(duì)飽和氣體抽速為80m3/min水環(huán)真空泵組成的抽氣機(jī)組,同時(shí)運(yùn)行時(shí)的抽速達(dá)到了620m3/min,這樣提高了抽除含有大量水蒸氣的空氣的能力,提高了抽氣效率,當(dāng)負(fù)載較少時(shí)為了節(jié)能和控制方便只留一臺(tái)80m3/min水環(huán)真空泵作維持真空泵。
b、真空度控制技術(shù)
真空調(diào)節(jié)閥通過(guò)PID調(diào)節(jié)開度實(shí)現(xiàn)改變系統(tǒng)有效抽速并配合真空充氣閥采用動(dòng)態(tài)平衡的真空度控制方法。給出了真空度控制模擬曲線,通過(guò)曲線可以看出真空度控制精度可以達(dá)到1%以內(nèi)。
c、真空測(cè)量技術(shù)
包括真空測(cè)量點(diǎn)的選取和真空測(cè)量設(shè)備的選擇。根據(jù)安裝位置和作用的不同選擇了ZB-150B(0.25級(jí))、ZBN-150(0.4級(jí))等型號(hào)的絕對(duì)壓力真空計(jì),測(cè)量范圍從0.1MPa~-0.1MPa,測(cè)量和控制精度高(0.25級(jí))。
d、罐體安全復(fù)壓技術(shù)
給出了不控制的真空抽氣模擬曲線,根據(jù)真空度的發(fā)展趨勢(shì)設(shè)定超壓判斷及緊急復(fù)壓、真空安全閥復(fù)壓等安全裝置,這樣很好的保障了試驗(yàn)的進(jìn)行和真空罐體的安全。
該設(shè)備的真空技術(shù)的應(yīng)用將完全可以實(shí)現(xiàn)該設(shè)備的所有試驗(yàn)對(duì)于真空的要求。
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